在(zai)選(xuan)擇電(dian)磁繼(ji)電器(qi)的(de)過程中(zhong)需要(yao)註意哪(na)些(xie)問(wen)題(ti)？

　　在(zai)選(xuan)擇電(dian)磁繼(ji)電器(qi)的(de)過程中(zhong)需要(yao)註意哪(na)些(xie)問(wen)題(ti)？
　　電磁繼(ji)電器(qi)是壹(yi)類(lei)廣(guang)泛的(de)設備，用於(yu)隔(ge)離(li)具(ju)有(you)不(bu)同(tong)地(di)電位的(de)兩個電路(lu)。電(dian)磁繼(ji)電器(qi)通(tong)常(chang)用於(yu)輸(shu)入(ru)信(xin)號與處(chu)理(li)器之(zhi)間或處理器與輸(shu)出負(fu)載(zai)之間的(de)隔(ge)離(li)，有(you)利(li)於消除(chu)阻(zu)抗(kang)失配(pei)，改善(shan)輸(shu)入(ru)與輸(shu)出之(zhi)間(jian)的(de)隔(ge)離(li)以及(ji)降(jiang)低(di)噪(zao)聲。
　　如(ru)今(jin)，有(you)各種各樣(yang)的(de)電磁繼(ji)電器(qi)可用，包(bao)括具(ju)有(you)晶(jing)體(ti)管，晶(jing)閘管或三(san)端雙向(xiang)可控矽(gui)開關(guan)輸(shu)出的(de)通(tong)用器(qi)件(jian)以及(ji)IC類(lei)型的(de)電磁繼(ji)電器(qi)，光(guang)繼(ji)電器(qi)和(he)電(dian)磁繼(ji)電器(qi)。最(zui)近(jin)的(de)趨勢(shi)滿(man)足了(le)工(gong)程師(shi)的(de)需求，這些(xie)工程師(shi)必(bi)須在(zai)相(xiang)互沖突的(de)小包(bao)裝(zhuang)需求與對更(geng)高功(gong)率(lv)輸(shu)出，更(geng)高速(su)度(du)開(kai)關(guan)和/或更低電源電(dian)流的(de)各種需求之間(jian)取(qu)得平(ping)衡。
　　要(yao)考(kao)慮的(de)關(guan)鍵參(can)數(shu)！
　　電(dian)氣和(he)結構(gou)參(can)數(shu)是使(shi)特(te)定(ding)的(de)電磁繼(ji)電器(qi)與您(nin)的(de)應用相(xiang)匹(pi)配(pei)的(de)主要(yao)考(kao)慮因素(su)。此(ci)處列(lie)出了(le)適用於(yu)所(suo)有類(lei)別(bie)的(de)主要(yao)標(biao)準(zhun)。稍後將詳(xiang)細(xi)討(tao)論(lun)針對特(te)定(ding)類(lei)別(bie)的(de)其他(ta)電氣選(xuan)擇標(biao)準：
　　隔(ge)離(li)電(dian)壓(ya)（BVs）爬(pa)電(dian)距離(li)輸(shu)入(ru)引腳和輸(shu)出引(yin)腳(jiao)之間沿絕(jue)緣(yuan)子（封(feng)裝(zhuang)）的(de)最小距離(li)兩(liang)根導體(ti)之間的(de)最小絕(jue)緣(yuan)厚度(du)隔(ge)離(li)間(jian)隙輸(shu)入(ru)引腳和輸(shu)出引(yin)腳(jiao)之間的(de)最小距離(li)封(feng)裝(zhuang)類(lei)型隔(ge)離(li)參(can)數(shu)與封(feng)裝(zhuang)緊密相(xiang)關(guan)，通(tong)常(chang)，封裝(zhuang)越(yue)小，絕(jue)緣(yuan)厚度(du)和(he)隔(ge)離(li)間(jian)隙越(yue)小。
　　輸(shu)出類(lei)別(bie)和應用！
　　晶(jing)體(ti)管輸(shu)出。具(ju)有(you)晶(jing)體(ti)管輸(shu)出的(de)電磁繼(ji)電器(qi)用於(yu)信(xin)號傳(chuan)輸(shu)或可編程邏(luo)輯控制器(qi)，逆變(bian)器，電源(yuan)，設備和(he)調制(zhi)解(jie)調器(qi)中(zhong)的(de)開關(guan)。主要(yao)選(xuan)擇標(biao)準是集(ji)電極-發射(she)極電壓(ya)VCEO，集電(dian)極和發射(she)極之間(jian)的(de)額(e)定電(dian)壓(ya)；電流傳輸(shu)比IC/IF，低輸(shu)入(ru)類(lei)型，晶(jing)體(ti)管輸(shu)出高電(dian)流增(zeng)益(yi)，通(tong)道(dao)數(shu)和(he)封(feng)裝(zhuang)類(lei)型。
　　雙向(xiang)可控矽(gui)輸(shu)出。三(san)端雙向(xiang)可控矽(gui)電磁繼(ji)電器(qi)可以在(zai)兩(liang)個方(fang)向(xiang)上(shang)傳(chuan)導(dao)電(dian)流，對於(yu)控制交(jiao)流負載(zai)非(fei)常(chang)有用。典(dian)型應用包(bao)括固態(tai)繼(ji)電器(qi)和(he)辦(ban)公自(zi)動化(hua)設備，以及(ji)電器，電(dian)動機(ji)和(he)照(zhao)明設備。三(san)端雙向(xiang)可控矽(gui)類(lei)型的(de)主要(yao)選(xuan)擇標(biao)準是觸(chu)發驅動電(dian)流IFT，這是將器(qi)件切換(huan)為通(tong)態(tai)（通(tong)常(chang)為5至(zhi)10mA）所需的(de)最小輸(shu)入(ru)電流，峰值(zhi)通(tong)態(tai)電(dian)壓(ya)VTM，峰值(zhi)關(guan)態電(dian)壓(ya)（VDRM）400或600V以及(ji)零交叉或非零交叉。三(san)端雙向(xiang)可控矽(gui)開關(guan)元件(jian)的(de)最新(xin)發展集(ji)中在(zai)減(jian)小封裝(zhuang)尺(chi)寸(cun)和(he)使(shi)觸發電流更低(di)的(de)新型LED上(shang)。
　　晶(jing)閘管輸(shu)出。具(ju)有(you)晶(jing)閘管輸(shu)出的(de)電磁繼(ji)電器(qi)通(tong)常(chang)用作(zuo)門(men)電路(lu)，並且(qie)除(chu)了(le)壹(yi)個方(fang)向(xiang)外，其行為與雙向(xiang)可控矽(gui)耦合(he)器類(lei)似(si)。壹(yi)個實例(li)是反饋環路(lu)（例(li)如(ru)電(dian)源）中(zhong)的(de)誤差(cha)放大(da)和(he)過壓(ya)保(bao)護。主(zhu)要(yao)選(xuan)擇標(biao)準與三(san)端雙向(xiang)可控矽(gui)開關(guan)耦合(he)器(qi)相同。
　　IC輸(shu)出。IC電(dian)磁繼(ji)電器(qi)可滿(man)足在(zai)輸(shu)出端(duan)需要(yao)更(geng)高級(ji)功(gong)能的(de)應用。受高速(su)數(shu)字(zi)傳輸(shu)需求的(de)推動，電(dian)磁繼(ji)電器(qi)的(de)許(xu)多(duo)最(zui)新(xin)進(jin)展都屬(shu)於此(ci)類(lei)。它(ta)們(men)通(tong)常(chang)可以分為三(san)個子類(lei)別(bie)：高速(su)，IGBT/MOSFET驅(qu)動器(qi)和(he)IPM驅(qu)動器(qi)。
　　高速(su)。電(dian)磁繼(ji)電器(qi)具(ju)有(you)輸(shu)出IC，使(shi)它(ta)們(men)能夠(gou)在(zai)驅(qu)動等離子(zi)顯示面(mian)板(ban)，工(gong)廠自動化(hua)設備和(he)開(kai)關(guan)電源(yuan)等應用中(zhong)傳(chuan)輸(shu)數據(ju)信(xin)號。主(zhu)要(yao)選(xuan)擇標(biao)準包(bao)括開關(guan)速(su)度(du)和(he)閾值(zhi)輸(shu)入(ru)電流IFHL/IFHL，這是觸(chu)發輸(shu)出變(bian)化(hua)所需的(de)最小輸(shu)入(ru)電流。